Un grupo de científicos chinos y estadounidenses lograron crear un semiconductor viable con un interruptor de encendido y apagado hecho de grafeno, un material de carbono muy superior al silicio en términos de su potencial electrónico.
Los expertos de la Universidad de Tianjin y el Instituto de Tecnología de Georgia lograron abrir la banda prohibida produciendo grafeno sobre sustratos monocristalinos de carburo de silicio (SiC, siglas en inglés) con una banda prohibida de 0,6 eV.
El grafeno es un material bidimensional formado por una sola capa de átomos de carbono. Lo que lo convierte actualmente el material electrónico más prometedor en este campo, refiere la Agencia Internacional de noticias Xinhua.
Además, la movilidad a temperatura ambiente del grafeno desarrollado por los dos equipos de investigación es diez veces mayor que la del silicio, según un estudio publicado recientemente en la revista Nature.
Los investigadores señalan que esta innovadora propuesta abre una puerta para dispositivos electrónicos de alto rendimiento más allá de la tecnología tradicional basada en silicio, anunciando un cambio fundamental en la electrónica.
Oficina de Gestión Comunicacional del Ministerio del Poder Popular para Ciencia y Tecnología / Periodista: Sheila Bravo
